Buy Vishay Siliconix SI7368DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SI7368DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

Numărul piesei

SI7368DP-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

PowerPAK® SO-8

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® SO-8

Disiparea puterii (max.)

1.7W (Ta)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

13A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±16V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 53185 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI7302DN-T1-E3

MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8