Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
SI7309DN-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8
Numărul piesei
SI7309DN-T1-E3
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
PowerPAK® 1212-8
Pachetul dispozitivului furnizorului
PowerPAK® 1212-8
Disiparea puterii (max.)
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
115 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 30V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
4.5V, 10V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la chen_hx1688@hotmail.com, vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 47550 PCS
Cuvinte cheie ale SI7309DN-T1-E3
SI7309DN-T1-E3 Componente electronice
SI7309DN-T1-E3 Vânzări
SI7309DN-T1-E3 Furnizor
SI7309DN-T1-E3 Distribuitor
SI7309DN-T1-E3 Tabel de date
SI7309DN-T1-E3 Fotografii
SI7309DN-T1-E3 Preț
SI7309DN-T1-E3 Oferi
SI7309DN-T1-E3 Cel mai mic pret
SI7309DN-T1-E3 Căutare
SI7309DN-T1-E3 Achizitie
SI7309DN-T1-E3 Chip