Buy Vishay Siliconix SI7308DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SI7308DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8

Numărul piesei

SI7308DN-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

PowerPAK® 1212-8

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® 1212-8

Disiparea puterii (max.)

3.2W (Ta), 19.8W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

60V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58 mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

665pF @ 15V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 44606 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI7302DN-T1-E3

MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8