Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
SI7308DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
Numărul piesei
SI7308DN-T1-GE3
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
PowerPAK® 1212-8
Pachetul dispozitivului furnizorului
PowerPAK® 1212-8
Disiparea puterii (max.)
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
665pF @ 15V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
4.5V, 10V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la chen_hx1688@hotmail.com, vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 45579 PCS
Cuvinte cheie ale SI7308DN-T1-GE3
SI7308DN-T1-GE3 Componente electronice
SI7308DN-T1-GE3 Vânzări
SI7308DN-T1-GE3 Furnizor
SI7308DN-T1-GE3 Distribuitor
SI7308DN-T1-GE3 Tabel de date
SI7308DN-T1-GE3 Fotografii
SI7308DN-T1-GE3 Preț
SI7308DN-T1-GE3 Oferi
SI7308DN-T1-GE3 Cel mai mic pret
SI7308DN-T1-GE3 Căutare
SI7308DN-T1-GE3 Achizitie
SI7308DN-T1-GE3 Chip