Buy Vishay Siliconix SIR788DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SIR788DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Numărul piesei

SIR788DP-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

SkyFET®, TrenchFET®

Stare piese

Last Time Buy

Ambalare

Digi-Reel®

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

PowerPAK® SO-8

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® SO-8

Disiparea puterii (max.)

5W (Ta), 48W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Schottky Diode (Body)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2873pF @ 15V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 29275 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SIR770DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8