Buy Vishay Siliconix SIR770DP-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SIR770DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Numărul piesei

SIR770DP-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

PowerPAK® SO-8 Dual

Putere - Max

17.8W

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® SO-8 Dual

Tip FET

2 N-Channel (Dual)

Caracteristica FET

Logic Level Gate

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 15V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 54469 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SIR770DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8