Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXTI12N50P

IXTI12N50P

MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK
Numărul piesei
IXTI12N50P
Producator/Marca
Serie
Polar™
Stare piese
Obsolete
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-262 (I2PAK)
Disiparea puterii (max.)
200W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1830pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 36820 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXTI12N50P
IXTI12N50P Componente electronice
IXTI12N50P Vânzări
IXTI12N50P Furnizor
IXTI12N50P Distribuitor
IXTI12N50P Tabel de date
IXTI12N50P Fotografii
IXTI12N50P Preț
IXTI12N50P Oferi
IXTI12N50P Cel mai mic pret
IXTI12N50P Căutare
IXTI12N50P Achizitie
IXTI12N50P Chip