Buy IXYS IXTI10N60P MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK

China
Furnizor profesionist de componente electronice

Cataloage Producătorii CN ICs

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IXTI10N60P

MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK

Numărul piesei

IXTI10N60P

Producator/Marca

IXYS

Serie

PolarHV™

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet / Cutie

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-262 (I2PAK)

Disiparea puterii (max.)

200W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

600V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

10A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

740 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1610pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±30V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 18400 PCS

Informații de contact