Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXTI10N60P

IXTI10N60P

MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK
Numărul piesei
IXTI10N60P
Producator/Marca
Serie
PolarHV™
Stare piese
Obsolete
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-262 (I2PAK)
Disiparea puterii (max.)
200W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
740 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1610pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 18400 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXTI10N60P
IXTI10N60P Componente electronice
IXTI10N60P Vânzări
IXTI10N60P Furnizor
IXTI10N60P Distribuitor
IXTI10N60P Tabel de date
IXTI10N60P Fotografii
IXTI10N60P Preț
IXTI10N60P Oferi
IXTI10N60P Cel mai mic pret
IXTI10N60P Căutare
IXTI10N60P Achizitie
IXTI10N60P Chip