Buy Infineon Technologies IPC100N04S51R7ATMA1 MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IPC100N04S51R7ATMA1

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON

Numărul piesei

IPC100N04S51R7ATMA1

Producator/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

8-PowerTDFN

Pachetul dispozitivului furnizorului

PG-TDSON-8

Disiparea puterii (max.)

115W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

40V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.4V @ 60µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

83nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

4810pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

7V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 21010 PCS

Informații de contact