Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IPC100N04S51R2ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
Numărul piesei
IPC100N04S51R2ATMA1
Producator/Marca
Serie
OptiMOS™
Stare piese
Active
Ambalare
Digi-Reel®
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
8-PowerTDFN
Pachetul dispozitivului furnizorului
PG-TDSON-8
Disiparea puterii (max.)
150W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 90µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
131nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7650pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
7V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 14050 PCS
Informații de contact
produse asemanatoare
Cuvinte cheie ale IPC100N04S51R2ATMA1
IPC100N04S51R2ATMA1 Componente electronice
IPC100N04S51R2ATMA1 Vânzări
IPC100N04S51R2ATMA1 Furnizor
IPC100N04S51R2ATMA1 Distribuitor
IPC100N04S51R2ATMA1 Tabel de date
IPC100N04S51R2ATMA1 Fotografii
IPC100N04S51R2ATMA1 Preț
IPC100N04S51R2ATMA1 Oferi
IPC100N04S51R2ATMA1 Cel mai mic pret
IPC100N04S51R2ATMA1 Căutare
IPC100N04S51R2ATMA1 Achizitie
IPC100N04S51R2ATMA1 Chip