onsemi (Ansemi)
Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
NXH100B120H3Q0STG
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
Numărul piesei
NXH100B120H3Q0STG
Categorie
Power IC > Power Module
Producator/Marca
onsemi (Ansemi)
Încapsulare
-
Ambalare
tray
Numarul de pachete
24
Descriere
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 80099 PCS
Informații de contact
produse asemanatoare
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Cuvinte cheie ale NXH100B120H3Q0STG
NXH100B120H3Q0STG Componente electronice
NXH100B120H3Q0STG Vânzări
NXH100B120H3Q0STG Furnizor
NXH100B120H3Q0STG Distribuitor
NXH100B120H3Q0STG Tabel de date
NXH100B120H3Q0STG Fotografii
NXH100B120H3Q0STG Preț
NXH100B120H3Q0STG Oferi
NXH100B120H3Q0STG Cel mai mic pret
NXH100B120H3Q0STG Căutare
NXH100B120H3Q0STG Achizitie
NXH100B120H3Q0STG Chip