onsemi (Ansemi)
Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
NXH100B120H3Q0PTG Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.

NXH100B120H3Q0PTG

Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
Numărul piesei
NXH100B120H3Q0PTG
Categorie
Power IC > Power Module
Producator/Marca
onsemi (Ansemi)
Încapsulare
-
Ambalare
tray
Numarul de pachete
24
Descriere
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 66448 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale NXH100B120H3Q0PTG
NXH100B120H3Q0PTG Componente electronice
NXH100B120H3Q0PTG Vânzări
NXH100B120H3Q0PTG Furnizor
NXH100B120H3Q0PTG Distribuitor
NXH100B120H3Q0PTG Tabel de date
NXH100B120H3Q0PTG Fotografii
NXH100B120H3Q0PTG Preț
NXH100B120H3Q0PTG Oferi
NXH100B120H3Q0PTG Cel mai mic pret
NXH100B120H3Q0PTG Căutare
NXH100B120H3Q0PTG Achizitie
NXH100B120H3Q0PTG Chip