Imaginea poate fi reprezentativă. Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
AGM614A-G
N-channel 60V 50A 10mΩ
Numărul piesei
AGM614A-G
Categorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Producator/Marca
AGM-Semi (core control source)
Încapsulare
PDFN5x6
Ambalare
taping
Numarul de pachete
3000
Descriere
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 50A Power (Pd): 78W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10mΩ@10V,20A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 17nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.86nF@15V, Vds=60V Id=50A Rds=10mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6encapsulation;
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.