AGM-Semi (core control source)
Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
AGM605Q N-channel 60V 58A 6.2mΩ

AGM605Q

N-channel 60V 58A 6.2mΩ
Numărul piesei
AGM605Q
Categorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Producator/Marca
AGM-Semi (core control source)
Încapsulare
DFN5x6
Ambalare
taping
Numarul de pachete
3000
Descriere
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 58A Power (Pd): 50W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.2mΩ@10V,15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 15nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.976nF@30V, Vds=60V Id=58A Rds=6.2mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6encapsulation;
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 90367 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale AGM605Q
AGM605Q Componente electronice
AGM605Q Vânzări
AGM605Q Furnizor
AGM605Q Distribuitor
AGM605Q Tabel de date
AGM605Q Fotografii
AGM605Q Preț
AGM605Q Oferi
AGM605Q Cel mai mic pret
AGM605Q Căutare
AGM605Q Achizitie
AGM605Q Chip