AGM-Semi (core control source)
Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
AGM605C N-channel 60V 80A 4.5mΩ

AGM605C

N-channel 60V 80A 4.5mΩ
Numărul piesei
AGM605C
Categorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Producator/Marca
AGM-Semi (core control source)
Încapsulare
TO-220C
Ambalare
Tube
Numarul de pachete
50
Descriere
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 80A Power (Pd): 25W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 44.5nC@0V Input capacitance (Ciss@Vds): 2.413nF@25V , Vds=60V Id=80A Rds=4.5mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 60983 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale AGM605C
AGM605C Componente electronice
AGM605C Vânzări
AGM605C Furnizor
AGM605C Distribuitor
AGM605C Tabel de date
AGM605C Fotografii
AGM605C Preț
AGM605C Oferi
AGM605C Cel mai mic pret
AGM605C Căutare
AGM605C Achizitie
AGM605C Chip