Imaginea poate fi reprezentativă. Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
AGM605C
N-channel 60V 80A 4.5mΩ
Numărul piesei
AGM605C
Categorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Producator/Marca
AGM-Semi (core control source)
Încapsulare
TO-220C
Ambalare
Tube
Numarul de pachete
50
Descriere
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 80A Power (Pd): 25W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 44.5nC@0V Input capacitance (Ciss@Vds): 2.413nF@25V , Vds=60V Id=80A Rds=4.5mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.