Buy Vishay Siliconix SUD23N06-31-GE3 MOSFET N-CH 60V 21.4A TO-252

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SUD23N06-31-GE3

MOSFET N-CH 60V 21.4A TO-252

Numărul piesei

SUD23N06-31-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-252, (D-Pak)

Disiparea puterii (max.)

5.7W (Ta), 31.25W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

60V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

21.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 30427 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SUD20N10-66L-GE3

MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252