Buy Vishay Siliconix SQM120P04-04L_GE3 MOSFET P-CH 40V 120A TO-263

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SQM120P04-04L_GE3

MOSFET P-CH 40V 120A TO-263

Numărul piesei

SQM120P04-04L_GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-263 (D2Pak)

Disiparea puterii (max.)

375W (Tc)

Tip FET

P-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

40V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

13980pF @ 20V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 23367 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SQM100N02-3M5L_GE3

MOSFET N-CH 20V 100A TO263