Buy Vishay Siliconix SQM10250E_GE3 MOSFET N-CHAN 250V TO-263

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SQM10250E_GE3

MOSFET N-CHAN 250V TO-263

Numărul piesei

SQM10250E_GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Stare piese

Active

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-263 (D²Pak)

Disiparea puterii (max.)

375W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

250V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

65A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

4050pF @ 25V

Vgs (Max)

±20V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

7.5V, 10V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 37884 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SQM100N02-3M5L_GE3

MOSFET N-CH 20V 100A TO263