Buy Vishay Siliconix SQJQ100E-T1_GE3 MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SQJQ100E-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Numărul piesei

SQJQ100E-T1_GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Cut Tape (CT)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

8-PowerTDFN

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® 8 x 8

Disiparea puterii (max.)

150W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

40V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

200A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

165nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

14780pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 10805 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SQJQ100E-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8