Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
SQJA02EP-T1_GE3

SQJA02EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8
Numărul piesei
SQJA02EP-T1_GE3
Producator/Marca
Serie
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stare piese
Active
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
PowerPAK® SO-8
Pachetul dispozitivului furnizorului
PowerPAK® SO-8
Disiparea puterii (max.)
68W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 24515 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale SQJA02EP-T1_GE3
SQJA02EP-T1_GE3 Componente electronice
SQJA02EP-T1_GE3 Vânzări
SQJA02EP-T1_GE3 Furnizor
SQJA02EP-T1_GE3 Distribuitor
SQJA02EP-T1_GE3 Tabel de date
SQJA02EP-T1_GE3 Fotografii
SQJA02EP-T1_GE3 Preț
SQJA02EP-T1_GE3 Oferi
SQJA02EP-T1_GE3 Cel mai mic pret
SQJA02EP-T1_GE3 Căutare
SQJA02EP-T1_GE3 Achizitie
SQJA02EP-T1_GE3 Chip