Buy Vishay Siliconix SISC06DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SISC06DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V

Numărul piesei

SISC06DN-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Stare piese

Active

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

PowerPAK® 1212-8

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® 1212-8

Disiparea puterii (max.)

3.7W (Ta), 46.3W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Schottky Diode (Isolated)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

27.6A (Ta), 40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2455pF @ 15V

Vgs (Max)

+20V, -16V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 31266 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SISC050N10DX1SA1

MOSFET N-CHAN SAWED WAFER