Buy Vishay Siliconix SIR606DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 37A POWERPAKSO

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SIR606DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 37A POWERPAKSO

Numărul piesei

SIR606DP-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

PowerPAK® SO-8

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® SO-8

Disiparea puterii (max.)

44.5W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

37A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.2 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.6V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 6V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1360pF @ 50V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 36871 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8