Buy Vishay Siliconix SIR106DP-T1-RE3 MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SIR106DP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Numărul piesei

SIR106DP-T1-RE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

PowerPAK® SO-8

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® SO-8

Disiparea puterii (max.)

3.2W (Ta), 83.3W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

16.1A (Ta), 65.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

3610pF @ 50V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

7.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 42394 PCS

Informații de contact