Buy Vishay Siliconix SIJ188DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8

China
Furnizor profesionist de componente electronice

Cataloage Producătorii CN ICs

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SIJ188DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8

Numărul piesei

SIJ188DP-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Stare piese

Active

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

PowerPAK® SO-8

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® SO-8

Disiparea puterii (max.)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

60V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.85 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.6V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1920pF @ 30V

Vgs (Max)

±20V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

7.5V, 10V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 47087 PCS

Informații de contact