Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
SIHU3N50D-E3

SIHU3N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
Numărul piesei
SIHU3N50D-E3
Producator/Marca
Serie
-
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-251AA
Disiparea puterii (max.)
69W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
175pF @ 100V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 30137 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale SIHU3N50D-E3
SIHU3N50D-E3 Componente electronice
SIHU3N50D-E3 Vânzări
SIHU3N50D-E3 Furnizor
SIHU3N50D-E3 Distribuitor
SIHU3N50D-E3 Tabel de date
SIHU3N50D-E3 Fotografii
SIHU3N50D-E3 Preț
SIHU3N50D-E3 Oferi
SIHU3N50D-E3 Cel mai mic pret
SIHU3N50D-E3 Căutare
SIHU3N50D-E3 Achizitie
SIHU3N50D-E3 Chip