Buy Vishay Siliconix SIB406EDK-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SIB406EDK-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6

Numărul piesei

SIB406EDK-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Digi-Reel®

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

PowerPAK® SC-75-6L

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® SC-75-6L Single

Disiparea puterii (max.)

1.95W (Ta), 10W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46 mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 10V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 18256 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SIB404DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L