Buy Vishay Siliconix SIA811ADJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SIA811ADJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

Numărul piesei

SIA811ADJ-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

LITTLE FOOT®

Stare piese

Active

Ambalare

Cut Tape (CT)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Disiparea puterii (max.)

1.8W (Ta), 6.5W (Tc)

Tip FET

P-Channel

Caracteristica FET

Schottky Diode (Isolated)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

4.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

116 mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 8V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

345pF @ 10V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 42863 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SIA810DJ-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6