Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
SIA811ADJ-T1-GE3

SIA811ADJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Numărul piesei
SIA811ADJ-T1-GE3
Producator/Marca
Serie
LITTLE FOOT®
Stare piese
Active
Ambalare
Cut Tape (CT)
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pachetul dispozitivului furnizorului
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Disiparea puterii (max.)
1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Tip FET
P-Channel
Caracteristica FET
Schottky Diode (Isolated)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
116 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
345pF @ 10V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 42863 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale SIA811ADJ-T1-GE3
SIA811ADJ-T1-GE3 Componente electronice
SIA811ADJ-T1-GE3 Vânzări
SIA811ADJ-T1-GE3 Furnizor
SIA811ADJ-T1-GE3 Distribuitor
SIA811ADJ-T1-GE3 Tabel de date
SIA811ADJ-T1-GE3 Fotografii
SIA811ADJ-T1-GE3 Preț
SIA811ADJ-T1-GE3 Oferi
SIA811ADJ-T1-GE3 Cel mai mic pret
SIA811ADJ-T1-GE3 Căutare
SIA811ADJ-T1-GE3 Achizitie
SIA811ADJ-T1-GE3 Chip