Buy Vishay Siliconix SIA511DJ-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SIA511DJ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

Numărul piesei

SIA511DJ-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Putere - Max

6.5W

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Tip FET

N and P-Channel

Caracteristica FET

Logic Level Gate

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

12V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 8V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 6V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 51086 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SIA511DJ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6