Buy Vishay Siliconix SI7900AEDN-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SI7900AEDN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Numărul piesei

SI7900AEDN-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Cut Tape (CT)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

PowerPAK® 1212-8 Dual

Putere - Max

1.5W

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® 1212-8 Dual

Tip FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Caracteristica FET

Logic Level Gate

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26 mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 27144 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI7900AEDN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8