Buy Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SI6913DQ-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP

Numărul piesei

SI6913DQ-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Digi-Reel®

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Putere - Max

830mW

Pachetul dispozitivului furnizorului

8-TSSOP

Tip FET

2 P-Channel (Dual)

Caracteristica FET

Logic Level Gate

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

12V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 5.8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 400µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 47957 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI6913DQ-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP