Buy Vishay Siliconix SI5999EDU-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SI5999EDU-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK

Numărul piesei

SI5999EDU-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Last Time Buy

Ambalare

Digi-Reel®

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

PowerPAK® ChipFET™ Dual

Putere - Max

10.4W

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® ChipFet Dual

Tip FET

2 P-Channel (Dual)

Caracteristica FET

Logic Level Gate

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59 mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

496pF @ 10V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 14664 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI5902BDC-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8