Buy Vishay Siliconix SI5902BDC-T1-E3 MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SI5902BDC-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

Numărul piesei

SI5902BDC-T1-E3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Cut Tape (CT)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

8-SMD, Flat Lead

Putere - Max

3.12W

Pachetul dispozitivului furnizorului

Tip FET

2 N-Channel (Dual)

Caracteristica FET

Logic Level Gate

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 15V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 24917 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI5902BDC-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8