Buy Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65C,S1Q DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L

China
Furnizor profesionist de componente electronice

Cataloage Producătorii CN ICs

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

TRS8E65C,S1Q

DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L

Numărul piesei

TRS8E65C,S1Q

Producator/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Stare piese

Active

Ambalare

Tube

Tip de montare

Through Hole

Pachet / Cutie

TO-220-2

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-220-2L

Tip diodă

Silicon Carbide Schottky

Curent - Mediu rectificat (Io)

8A (DC)

Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă

1.7V @ 8A

Curent - Scurgere inversă @ Vr

90µA @ 650V

Tensiune - DC inversă (Vr) (Max)

650V

Viteză

No Recovery Time > 500mA (Io)

Timp de recuperare inversă (trr)

0ns

Temperatura de funcționare - Joncțiune

175°C (Max)

Capacitate @ Vr, F

44pF @ 650V, 1MHz

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 37462 PCS

Informații de contact