Buy Toshiba Semiconductor and Storage TPN6R303NC,LQ MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

TPN6R303NC,LQ

MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

Numărul piesei

TPN6R303NC,LQ

Producator/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

8-PowerVDFN

Pachetul dispozitivului furnizorului

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Disiparea puterii (max.)

700mW (Ta), 19W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

20A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 200µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1370pF @ 15V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 50852 PCS

Informații de contact