Buy Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R004PL,LQ X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

TPH6R004PL,LQ

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Numărul piesei

TPH6R004PL,LQ

Producator/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIX-H

Stare piese

Active

Ambalare

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

175°C

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

8-PowerVDFN

Pachetul dispozitivului furnizorului

8-SOP Advance (5x5)

Disiparea puterii (max.)

1.8W (Ta), 81W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

40V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

87A (Ta), 49A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 200µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 20V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 13659 PCS

Informații de contact