Buy Toshiba Semiconductor and Storage TPH6400ENH,L1Q MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

TPH6400ENH,L1Q

MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP

Numărul piesei

TPH6400ENH,L1Q

Producator/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

8-PowerVDFN

Pachetul dispozitivului furnizorului

8-SOP Advance (5x5)

Disiparea puterii (max.)

1.6W (Ta), 57W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

200V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

13A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

64 mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 300µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

11.2nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 100V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 36076 PCS

Informații de contact