Buy Toshiba Semiconductor and Storage TK9A90E,S4X MOSFET N-CH 900V TO220SIS

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

TK9A90E,S4X

MOSFET N-CH 900V TO220SIS

Numărul piesei

TK9A90E,S4X

Producator/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVIII

Stare piese

Active

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet / Cutie

TO-220-3 Full Pack

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-220SIS

Disiparea puterii (max.)

50W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

900V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3 Ohm @ 4.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 900µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±30V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 8394 PCS

Informații de contact