Buy Toshiba Semiconductor and Storage TK90S06N1L,LQ MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

TK90S06N1L,LQ

MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

Numărul piesei

TK90S06N1L,LQ

Producator/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-252-3

Disiparea puterii (max.)

157W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

60V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

90A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3 mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 500µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

5400pF @ 10V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 35277 PCS

Informații de contact