Buy Toshiba Semiconductor and Storage TK8S06K3L(T6L1,NQ) MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3

China
Furnizor profesionist de componente electronice

Cataloage Producătorii CN ICs

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

TK8S06K3L(T6L1,NQ)

MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3

Numărul piesei

TK8S06K3L(T6L1,NQ)

Producator/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIV

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pachetul dispozitivului furnizorului

DPAK+

Disiparea puterii (max.)

25W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

60V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

54 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 10V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 39246 PCS

Informații de contact