Buy Toshiba Semiconductor and Storage TK7Q60W,S1VQ MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3

China
Furnizor profesionist de componente electronice

Cataloage Producătorii CN ICs

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

TK7Q60W,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3

Numărul piesei

TK7Q60W,S1VQ

Producator/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Stare piese

Active

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet / Cutie

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Pachetul dispozitivului furnizorului

I-PAK

Disiparea puterii (max.)

60W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

600V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.7V @ 350µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 300V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±30V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la chen_hx1688@hotmail.com, vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 22040 PCS

Informații de contact