Buy Toshiba Semiconductor and Storage TK6P60W,RVQ MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

TK6P60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK

Numărul piesei

TK6P60W,RVQ

Producator/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Stare piese

Discontinued at Digi-Key

Ambalare

Digi-Reel®

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pachetul dispozitivului furnizorului

DPAK

Disiparea puterii (max.)

60W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Super Junction

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

600V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

6.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

820 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.7V @ 310µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

390pF @ 300V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±30V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 37513 PCS

Informații de contact