Buy Toshiba Semiconductor and Storage TK60P03M1,RQ(S MOSFET N-CH 30V 60A DPAK-3

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

TK60P03M1,RQ(S

MOSFET N-CH 30V 60A DPAK-3

Numărul piesei

TK60P03M1,RQ(S

Producator/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVI-H

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pachetul dispozitivului furnizorului

DPAK

Disiparea puterii (max.)

63W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

60A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.4 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 500µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 10V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 9249 PCS

Informații de contact