Buy Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65D(STA4,Q,M) MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

TK3A65D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS

Numărul piesei

TK3A65D(STA4,Q,M)

Producator/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVII

Stare piese

Active

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet / Cutie

TO-220-3 Full Pack

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-220SIS

Disiparea puterii (max.)

35W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

650V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.25 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±30V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 53673 PCS

Informații de contact