Buy Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60W,S1VF MOSFET N CH 600V 38.8A TO247

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

TK39N60W,S1VF

MOSFET N CH 600V 38.8A TO247

Numărul piesei

TK39N60W,S1VF

Producator/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Stare piese

Active

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet / Cutie

TO-247-3

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-247

Disiparea puterii (max.)

270W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Super Junction

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

600V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

38.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 19.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.7V @ 1.9mA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

4100pF @ 300V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±30V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 5752 PCS

Informații de contact