Buy Toshiba Semiconductor and Storage TK17N65W,S1F MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

TK17N65W,S1F

MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247

Numărul piesei

TK17N65W,S1F

Producator/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Stare piese

Active

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet / Cutie

TO-247-3

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-247

Disiparea puterii (max.)

165W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

650V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

17.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200 mOhm @ 8.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 900µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 300V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±30V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la chen_hx1688@hotmail.com, vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 30837 PCS

Informații de contact