Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
TK100E10N1,S1X

TK100E10N1,S1X

MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Numărul piesei
TK100E10N1,S1X
Serie
U-MOSVIII-H
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-220-3
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-220
Disiparea puterii (max.)
255W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8800pF @ 50V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 41054 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale TK100E10N1,S1X
TK100E10N1,S1X Componente electronice
TK100E10N1,S1X Vânzări
TK100E10N1,S1X Furnizor
TK100E10N1,S1X Distribuitor
TK100E10N1,S1X Tabel de date
TK100E10N1,S1X Fotografii
TK100E10N1,S1X Preț
TK100E10N1,S1X Oferi
TK100E10N1,S1X Cel mai mic pret
TK100E10N1,S1X Căutare
TK100E10N1,S1X Achizitie
TK100E10N1,S1X Chip