Buy Toshiba Semiconductor and Storage BAS516,L3F DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

BAS516,L3F

DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

Numărul piesei

BAS516,L3F

Producator/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Stare piese

Active

Ambalare

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

SC-79, SOD-523

Pachetul dispozitivului furnizorului

ESC

Tip diodă

Standard

Curent - Mediu rectificat (Io)

250mA

Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă

1.25V @ 150mA

Curent - Scurgere inversă @ Vr

200nA @ 80V

Tensiune - DC inversă (Vr) (Max)

100V

Viteză

Fast Recovery = 200mA (Io)

Timp de recuperare inversă (trr)

3ns

Temperatura de funcționare - Joncțiune

150°C (Max)

Capacitate @ Vr, F

0.35pF @ 0V, 1MHz

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 36861 PCS

Informații de contact