Buy Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CW RPG MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

TSM900N06CW RPG

MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223

Numărul piesei

TSM900N06CW RPG

Producator/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Stare piese

Active

Ambalare

Cut Tape (CT)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-261-4, TO-261AA

Pachetul dispozitivului furnizorului

SOT-223

Disiparea puterii (max.)

25W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

60V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

11A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

9.3nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 15V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 25351 PCS

Informații de contact