Buy Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B V6G DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

ESH3B V6G

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Numărul piesei

ESH3B V6G

Producator/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Stare piese

Active

Ambalare

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

DO-214AB, SMC

Pachetul dispozitivului furnizorului

DO-214AB (SMC)

Tip diodă

Standard

Curent - Mediu rectificat (Io)

Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă

Curent - Scurgere inversă @ Vr

5µA @ 100V

Tensiune - DC inversă (Vr) (Max)

100V

Viteză

Fast Recovery = 200mA (Io)

Timp de recuperare inversă (trr)

20ns

Temperatura de funcționare - Joncțiune

-55°C ~ 175°C

Capacitate @ Vr, F

45pF @ 4V, 1MHz

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 38153 PCS

Informații de contact