Buy STMicroelectronics STS20N3LLH6 MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

STS20N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC

Numărul piesei

STS20N3LLH6

Producator/Marca

STMicroelectronics

Serie

DeepGATE™, STripFET™ VI

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Digi-Reel®

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pachetul dispozitivului furnizorului

8-SO

Disiparea puterii (max.)

2.7W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1690pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 18869 PCS

Informații de contact